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0431-81702023
LED
小功率LED光源封裝光學結構的 MonteCarlo模擬及實驗分析

摘要:采用 MonteCarlo方法對不同光學封裝結構的LED進行模擬,建立了小功率LED的仿真模型,應用空間二 次曲面方程描述LED的封裝結構,對其光強分布進行模擬和統計.通過測量實際樣品,并與模擬結果進行比較和 分析,表明計算機模擬值與實驗測量值比較吻合.

關鍵詞:LED光源;MonteCarlo模擬;光學結構

1 引言

隨著半導體 LED芯片材料和制備工藝的不斷 進步,LED的發光效率迅速提高,在光源方面有著 很好的應用前景.光源用LED除了對發光效率有要 求,對光強分布也有不同的要求,因此需要對 LED 封裝光學結構進行模擬和設計,使光從封裝界面出 射之前的損失最小,并盡可能使光分布滿足應用場 合的配光要求,提高光的利用率.

通常采用幾何光學方法對 LED光源進行模擬 和設計,如利用折反聚光結構形成對光線的全反射 得到折反式聚光結構的新封裝結構[1];利用光子晶 體所具有的對光子的全反射不吸收特性進行高效率 發光二極管結構的設計[2];為提高LED光傳輸效率 而采用非成像透鏡的設計方法使LED的光出射后 分布在一個矩形中[3 . MonteCarlo方法則通過 建立隨機過程或概率模型,對模型進行抽樣實驗來 計算所求參數的統計特征,具有靈活、高效的特點.

本文對小功率 LED 光源建立仿真模型,采用 MonteCarlo方法對不同封裝光學結構的LED進行 模擬,應用空間二次曲面方程描述 LED 的封裝結 構,對其進行光強分布的模擬和統計,并通過測量實 際樣品與模擬結果進行比較和分析.

2 MonteCarlo模擬的計算機實現

對于小功率LED而言,可將發光芯片等效為點 光源,其光子分布為均勻球分布的隨機數分布.通過 追蹤每個隨機產生的光子從芯片出發后與各封裝界 面的作用(反射、全反射、折射、吸收等),以及與封裝 材料的作用(如內俘獲損耗等),對出射的光子數進 行統計,形成LED的光強分布.

2.1 LED封裝光學結構的 MC模型及其數學表示

小功率LED管的發光芯片置于支架上的反光 碗中央,整個支架封裝在透明的環氧樹脂材料中,該 結構形成了幾個主要的界面:(1)半導體發光芯片與 環氧樹脂材料形成的界面;(2)反光碗與環氧樹脂形 成的界面;(3)空氣與環氧樹脂材料形成的界面,光 線將在該界面發生反射、折射或全反射等現象,光子 的運動方向在這里將發生較大的改變.

LED封裝光學結構模型由芯片(光源)、反光 碗、封裝環氧樹脂與空氣界面組成,芯片由球空間均 勻分布隨機數向量發生器模擬,反光碗、封裝環氧樹 脂與空氣界面則可以由通用的二次曲面方程取不同 的參數和不同邊界條件來獲得.

空間二次曲面方程的通用數學表述為:FxyzEa11x2+a22y2+a33z2+2a12xy+ 2a23yz+2a13zx+2a14x+2a24y+2a34z+a44 采用矩陣形式可表述為: FxyzExyz1A x y z L 1┘ 其中 A 為系數矩陣,由A 惟一確定了空間二次曲 面的形式,不同的系數矩陣A 代表了不同的空間二 次曲面.

2.2 LED封裝光學結構模型的計算機求解

2.2.1 光子與封裝表面的作用

1)光子的行進直線方程

已知光子的起始位置(x?,y?,z?),通過三個隨 機數組成的方向向量(lmn)可確定光子的飛行 方向,則光子行進的直線方程為: x-x? l Ey-y? m Ez-z? n Et 1

構成方向向量的三個隨機數為[-11]間的實 數,負號表示反方向.

2)光子與封裝表面碰撞位置的計算

根據交點求解方法和判斷方法可以求得某個光 子整個運動過程與封裝界面作用的各個交點.從光 子的初始位置(x?,y?,z?),其方向向量為r1 l1 m1n1),可以計算得到由芯片發出的光子與封裝界 面作用的第一個位置坐標(x1y1z1.然后光子以 (x1y1z1)為新的出發點,即(x?,y?,z?)Ex1 y1z1),以反射向量為新的方向向量r2 l2m2 n2),計算得到第二個作用點(x2y2z2),依此類推 可以計算得到所有的交點.光子與封裝光學結構中 的某一二次曲面的碰撞位置(xyz)由下式計算: x Elt+x? yE mt+y? zEnt+ < ╰ ╰ z? (2) 其中 參數t由直線方程(1)和某界面的二次曲面 方程FxyzE0構成的方程組確定,即 FxyzEa11x2+a22y2+a33z2+2a12xy+ 2a23yz+2a13zx+2a14x+ 2a24y+2a34z+a44 E0 x-x? l Ey-y? m Ez-z? n E < ╰ ╰ t 3

3)光子與封裝表面作用有效性的判斷

對于任一光子,某一時刻其與LED封裝結構的 合法交點必然只有一個,若出現以上任一交點非法 情況,則必須轉向計算此光子與同一曲面的其他交 點或者其他曲面的可能交點,再重復判斷直至交點 合法.

2.2.2 光子在封裝界面上的反射與折射

已知光子的入射矢量(方向向量(lmn)),要 求解光子在某曲面上的反射角和折射角大小,必須 先求出曲面在入射點的法線矢量.由曲面方程 F xyzE0在交點(xyz)處的法線方向向量和 入射方向向量,再根據光的鏡面反射定律便可求出 反射方向向量.光子在封裝材料界面上發生反射時, 根據菲涅耳公式可求出光子的反射幾率RF RF E 1 2 sin2 θ1-θ2 sin2 θ1+θ2+ tan2 θ1-θ2) [ tan2 θ1+θ2)](4) 其中 θ1為入射角;θ2 為折射角.不同的入射角其 光子的反射幾率 RF 是不同的,故折射幾率 RP RP E1-RF)也是變化的.對于隨機產生的任一光子在 此處可能反射也可能折射,但光子在此處的反射幾 率這一隨機變量的概率密度函數卻必須是固定的. 因此需要有一個能生成遵循菲涅耳定律所決定的概 率分布形式的隨機數的發生器,使隨機數在某點的 取值(01)中1的取值概率等于該點的RF.

2.2.3 光子的內俘獲

光子在LED封裝結構中傳播,其行進過程中必 然與封裝材料發生作用以及與封裝界面發生碰撞. 因此光子行進一定路程后將被消耗,如材料的光子 吸收、材料中雜質形成的光陷阱、界面反射或折射時 的光反射和折射等等,但從結果上考慮都可以歸結 為光子經過一定路程的傳播或者與界面作用若干次 之后轉化為其他形式的能量而消失.

2.2.4 光子數目的統計

對于所追蹤的光子,若其能夠從封裝結構中出 射,則由其出射坐標和出射方向向量,可精確地計算 出它落在觀察屏上的精確位置,其坐標點為: x El* U -z0 n +x0 yE m * U -z0 n +y0 zEz < ╰ ╰ 0 其中 (lmn)為光子的出射方向向量;(x0y0 z0)為光子的出射點坐標;U 為坐標原點與觀察屏間的距離.

對于LED的光強分布形式,一般采用直角坐標 或極坐標形式的配光分布曲線表達.對模擬的結果 統計按其空間角度的分布,得到單位立體角內的光 子數目,并可根據下式求出該立體角度內的平均光 強值: ID E NdφP A 5) 式中 Nd 為某一立體角度內所收集到的光子數; φP為每一光子所代表的光通量值;A為對應的立體 角. 把以光源的光中心為圓心的立體空間按一定的 立體角劃分為立體角元 ΔA,則按照上述方法可以 統計每一立體角元內的光子數目,計算出該立體角 度的光強平均值,作為此立體角內某一光線方向上 的光強值,則可以統計得到光源在所有輻出角內的 光強分布.

3 LED 封裝光學結構的模擬結果與實驗的比較和討論

3.1 樣管光強分布的測量

本文采用 GLD-99 型光強測試儀,對不同的 LED管進行測試.光分布以1≠為單位,測量其光強 分布曲線;測試時采用恒定20mA的驅動電流;所測 的數據繪制成直角坐標形式的配光分布曲線.

3.2 模擬結果與實測配光曲線的比較與分析

1~3為實測配光曲線與模擬配光曲線的比 較圖,其中圖1a)為實測配光曲線,圖中的多條曲 線為相同類型的多只 LED管的測試結果;圖1b) 為模擬配光曲線,圖中縱坐標 N 為經過光軸的某一 平面上單位角度內的光子數,橫坐標為光子所在的 角度.模擬圖中坐標從91≠~181≠91≠相當于實測圖 中的0≠,而181≠相當于90≠.模擬圖中主峰和次峰上 都附帶有一些小峰,是因為實際測量的探頭有一定 面積,相當于在一定面積內積分,而模擬則相當于探 頭很小的情況.在模擬中對超過181≠的光子不能打 到觀察屏上故無法收集,所以模擬圖中181≠處下降 陡峭,實際上該處一般下降很緩慢.

3.2.1 圓頂大反光碗LED

1a)和(b)分別代表直徑為8.7mm、圓頂、 90≠大反光碗、支架插入深度為2.85mm LED的 實測配光曲線和模擬配光曲線.從圖中可見,配光分 布圖有兩個主要的峰:中心主峰和稍遠處的次峰.主 峰較寬,較高,次峰較弱.支架淺插入情況下,模擬所 得中間主峰與外環次峰的強度之比在102 數量級; 而實測的這一比值在102附近.模擬的主峰寬度(在 斜率的絕對值小于1的范圍內)為10≠,實測主峰寬 度為15≠,誤差為30%;模擬次峰的峰值位置為58≠, 實測次峰的峰值位置為58≠,誤差為0.

3.2.2 平頂大反光碗LED

2a)和(b)分別代表直徑為5.3mm、平頂、 90≠大反光碗、支架插入深度為4.07mmLED的 配光曲線測試圖與模擬曲線圖.由于平頂管子沒有 圓頂的聚光作用,因此其中心處的光照度將大大下 降,而由于圓柱側壁的折射產生的聚光作用,將使 其光分布呈現中心暗圓斑被亮光環包圍,然后漸遠 漸暗的光分布形式.由圖2a)和(b)的對比可 見,模擬中峰值點在37≠左右;實測峰值點在37≠處, 中心處的光照度與峰值的比,模擬約為3:5,實測約為 7:10.兩個平碗的模擬結果與實測情況比較接近.

3.2.3 平頂平碗深插入LED

3a)和(b)分別代表直徑為5.3mm、平頂、平 碗、支架插入深度為4.18mm時的LED的實測配光 曲線和模擬配光曲線.由圖可見,配光分布圖中心是 凹圓坑,圓坑外有一個峰,峰外光強越來越弱,并且 中心一定角度內光強較弱,到一定角度出現光強極 值.模擬圖中峰值點在41≠左右,實測峰值點在41≠ 或更大角度處;中心處的光照度與峰值的比,模擬圖 為10:27,實測為10:41.

4 結論

通過對小功率LED進行 MonteCarlo模擬仿真 輸出光強分布曲線,并與實際測試值進行比較,表明 在一定的誤差范圍內模擬和實際測試結果是基本相 符的.模擬和實驗數據的誤差來源可能是由于模擬 時使用的支架高度或頂面的曲面弧度與實際管子的 真實高度和真實曲面弧度存在一些差異所致.在模 擬的過程中發現LED結構參數變化時,模擬曲線的 變化趨勢與實測情況能夠較好地吻合.因此該模擬 仿真方法可對用于光源的LED的封裝光學結構進 行模擬仿真、測試分析、改進,并成為LED光源配光 分布求解和設計的有效方法.